STMicroelectronics - STP18N65M2

KEY Part #: K6393280

STP18N65M2 Priser (USD) [40137stk Lager]

  • 1 pcs$0.97417
  • 10 pcs$0.87843
  • 100 pcs$0.70575
  • 500 pcs$0.54891
  • 1,000 pcs$0.45480

Delnummer:
STP18N65M2
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - programmerbar enhet, Tyristorer - SCR and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STP18N65M2 electronic components. STP18N65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP18N65M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP18N65M2 Produktegenskaper

Delnummer : STP18N65M2
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Serie : MDmesh™ M2
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 330 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 110W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220
Pakke / sak : TO-220-3