Infineon Technologies - IRLS4030TRLPBF

KEY Part #: K6401014

IRLS4030TRLPBF Priser (USD) [37578stk Lager]

  • 1 pcs$1.04048
  • 800 pcs$0.89572

Delnummer:
IRLS4030TRLPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel and Transistorer - programmerbar enhet ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRLS4030TRLPBF electronic components. IRLS4030TRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLS4030TRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLS4030TRLPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRLS4030TRLPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.3 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 11360pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 370W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB