Nexperia USA Inc. - PSMN7R8-120ESQ

KEY Part #: K6418891

PSMN7R8-120ESQ Priser (USD) [81749stk Lager]

  • 1 pcs$0.58459
  • 5,000 pcs$0.58168

Delnummer:
PSMN7R8-120ESQ
Produsent:
Nexperia USA Inc.
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - spesialformål, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Bridge likerettere and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN7R8-120ESQ electronic components. PSMN7R8-120ESQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN7R8-120ESQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN7R8-120ESQ Produktegenskaper

Delnummer : PSMN7R8-120ESQ
Produsent : Nexperia USA Inc.
Beskrivelse : MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 120V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 167nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 9473pF @ 60V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 349W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : I2PAK
Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA