Microsemi Corporation - APT18M100B

KEY Part #: K6395267

APT18M100B Priser (USD) [8145stk Lager]

  • 1 pcs$5.56163
  • 10 pcs$5.00635
  • 100 pcs$4.11645
  • 500 pcs$3.44890

Delnummer:
APT18M100B
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - likerettere - singel, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - JFET-er and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APT18M100B electronic components. APT18M100B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18M100B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18M100B Produktegenskaper

Delnummer : APT18M100B
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 700 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4845pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 625W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247 [B]
Pakke / sak : TO-247-3