Infineon Technologies - IRF9Z34NSTRRPBF

KEY Part #: K6419913

IRF9Z34NSTRRPBF Priser (USD) [143745stk Lager]

  • 1 pcs$0.25731
  • 800 pcs$0.24699

Delnummer:
IRF9Z34NSTRRPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - JFET-er, Tyristorer - SCR-er - moduler, Power Driver-moduler, Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Bridge likerettere and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRF9Z34NSTRRPBF electronic components. IRF9Z34NSTRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9Z34NSTRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9Z34NSTRRPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRF9Z34NSTRRPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Not For New Designs
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 55V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB