Infineon Technologies - BSD314SPEH6327XTSA1

KEY Part #: K6421586

BSD314SPEH6327XTSA1 Priser (USD) [914187stk Lager]

  • 1 pcs$0.04046
  • 3,000 pcs$0.03872

Delnummer:
BSD314SPEH6327XTSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - SCR, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies BSD314SPEH6327XTSA1 electronic components. BSD314SPEH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSD314SPEH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSD314SPEH6327XTSA1 Produktegenskaper

Delnummer : BSD314SPEH6327XTSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 140 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 6.3µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 294pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 500mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-SOT363-6
Pakke / sak : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363