ON Semiconductor - FQD3P50TM-F085

KEY Part #: K6400647

[3325stk Lager]


    Delnummer:
    FQD3P50TM-F085
    Produsent:
    ON Semiconductor
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - programmerbar enhet, Power Driver-moduler, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioder - Zener - Singel ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in ON Semiconductor FQD3P50TM-F085 electronic components. FQD3P50TM-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD3P50TM-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD3P50TM-F085 Produktegenskaper

    Delnummer : FQD3P50TM-F085
    Produsent : ON Semiconductor
    Beskrivelse : MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
    Serie : Automotive, AEC-Q101, QFET®
    Delstatus : Active
    FET Type : P-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 500V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 2.1A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : D-Pak
    Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63