Infineon Technologies - IRF6668TR1

KEY Part #: K6406522

[7964stk Lager]


    Delnummer:
    IRF6668TR1
    Produsent:
    Infineon Technologies
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Tyristorer - DIAC, SIDAC and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Infineon Technologies IRF6668TR1 electronic components. IRF6668TR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6668TR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF6668TR1 Produktegenskaper

    Delnummer : IRF6668TR1
    Produsent : Infineon Technologies
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
    Serie : HEXFET®
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 80V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 15 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 100µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1320pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
    Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : DIRECTFET™ MZ
    Pakke / sak : DirectFET™ Isometric MZ

    Du kan også være interessert i