IXYS - IXFH18N90P

KEY Part #: K6394629

IXFH18N90P Priser (USD) [12163stk Lager]

  • 1 pcs$4.54362
  • 10 pcs$4.09014
  • 100 pcs$3.36311
  • 500 pcs$2.81773

Delnummer:
IXFH18N90P
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFH18N90P electronic components. IXFH18N90P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH18N90P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH18N90P Produktegenskaper

Delnummer : IXFH18N90P
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH TO-247
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 900V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 97nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5230pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 540W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247AD (IXFH)
Pakke / sak : TO-247-3