Vishay Siliconix - SI7100DN-T1-E3

KEY Part #: K6408608

[569stk Lager]


    Delnummer:
    SI7100DN-T1-E3
    Produsent:
    Vishay Siliconix
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Zener - Arrays and Dioder - Zener - Singel ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7100DN-T1-E3 electronic components. SI7100DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7100DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7100DN-T1-E3 Produktegenskaper

    Delnummer : SI7100DN-T1-E3
    Produsent : Vishay Siliconix
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
    Serie : TrenchFET®
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 8V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 8V
    Vgs (maks) : ±8V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3810pF @ 4V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
    Driftstemperatur : -50°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : PowerPAK® 1212-8
    Pakke / sak : PowerPAK® 1212-8

    Du kan også være interessert i