Vishay Siliconix - SI2324DS-T1-GE3

KEY Part #: K6421153

SI2324DS-T1-GE3 Priser (USD) [370087stk Lager]

  • 1 pcs$0.09994
  • 3,000 pcs$0.09441

Delnummer:
SI2324DS-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Dioder - likerettere - singel and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI2324DS-T1-GE3 electronic components. SI2324DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2324DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2324DS-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI2324DS-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 234 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.9V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 10.4nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-23-3 (TO-236)
Pakke / sak : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3