Infineon Technologies - IRFBA90N20DPBF

KEY Part #: K6416291

IRFBA90N20DPBF Priser (USD) [12988stk Lager]

  • 1 pcs$3.04524
  • 10 pcs$2.74204
  • 100 pcs$2.25462
  • 500 pcs$1.88901
  • 1,000 pcs$1.64526

Delnummer:
IRFBA90N20DPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRFBA90N20DPBF electronic components. IRFBA90N20DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBA90N20DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBA90N20DPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFBA90N20DPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 23 mOhm @ 59A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6080pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 650W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : SUPER-220™ (TO-273AA)
Pakke / sak : Super-220™-3 (Straight Leads)