Vishay Siliconix - SISS30DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396135

SISS30DN-T1-GE3 Priser (USD) [172802stk Lager]

  • 1 pcs$0.21404

Delnummer:
SISS30DN-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Dioder - likerettere - singel, Power Driver-moduler, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - IGBT-er - Arrays and Tyristorer - TRIAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SISS30DN-T1-GE3 electronic components. SISS30DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS30DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS30DN-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SISS30DN-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212
Serie : TrenchFET® Gen IV
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 80V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 8.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1666pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® 1212-8S
Pakke / sak : PowerPAK® 1212-8S