Vishay Siliconix - SI7455DP-T1-E3

KEY Part #: K6393587

SI7455DP-T1-E3 Priser (USD) [66291stk Lager]

  • 1 pcs$0.59278
  • 3,000 pcs$0.58983

Delnummer:
SI7455DP-T1-E3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - programmerbar enhet and Transistorer - IGBT-er - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI7455DP-T1-E3 electronic components. SI7455DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7455DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7455DP-T1-E3 Produktegenskaper

Delnummer : SI7455DP-T1-E3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 80V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 25 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5160pF @ 40V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8