Vishay Siliconix - SI2325DS-T1-E3

KEY Part #: K6419226

SI2325DS-T1-E3 Priser (USD) [196638stk Lager]

  • 1 pcs$0.18810
  • 3,000 pcs$0.17663

Delnummer:
SI2325DS-T1-E3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Power Driver-moduler, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - IGBT-er - singel and Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 electronic components. SI2325DS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2325DS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2325DS-T1-E3 Produktegenskaper

Delnummer : SI2325DS-T1-E3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 150V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 530mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 750mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-23-3 (TO-236)
Pakke / sak : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3