Infineon Technologies - BSC0923NDIATMA1

KEY Part #: K6525311

BSC0923NDIATMA1 Priser (USD) [185285stk Lager]

  • 1 pcs$0.19962
  • 5,000 pcs$0.19164

Delnummer:
BSC0923NDIATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - RF, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1 electronic components. BSC0923NDIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0923NDIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC0923NDIATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : BSC0923NDIATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-funksjon : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 17A, 32A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1160pF @ 15V
Kraft - Maks : 1W
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 8-PowerTDFN
Leverandørenhetspakke : PG-TISON-8