IXYS - IXFH7N100P

KEY Part #: K6395098

IXFH7N100P Priser (USD) [14573stk Lager]

  • 1 pcs$2.82783

Delnummer:
IXFH7N100P
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - JFET-er ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFH7N100P electronic components. IXFH7N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH7N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH7N100P Produktegenskaper

Delnummer : IXFH7N100P
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH
Serie : HiPerFET™, Polar™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2590pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247
Pakke / sak : TO-247-3