Vishay Siliconix - SQM50P03-07_GE3

KEY Part #: K6396327

SQM50P03-07_GE3 Priser (USD) [69584stk Lager]

  • 1 pcs$0.99090
  • 10 pcs$0.89641
  • 100 pcs$0.72022
  • 500 pcs$0.56017
  • 1,000 pcs$0.46414

Delnummer:
SQM50P03-07_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - FET, MOSFET - En, Power Driver-moduler, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC and Dioder - Zener - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQM50P03-07_GE3 electronic components. SQM50P03-07_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM50P03-07_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM50P03-07_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQM50P03-07_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5380pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 150W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-263 (D²Pak)
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB