Infineon Technologies - IRF1405STRRPBF

KEY Part #: K6418617

IRF1405STRRPBF Priser (USD) [70680stk Lager]

  • 1 pcs$0.55320
  • 800 pcs$0.53104

Delnummer:
IRF1405STRRPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - RF, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Zener - Arrays and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRF1405STRRPBF electronic components. IRF1405STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF1405STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF1405STRRPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRF1405STRRPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Not For New Designs
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 55V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 131A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 5.3 mOhm @ 101A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5480pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 200W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB