STMicroelectronics - STD100N10F7

KEY Part #: K6418715

STD100N10F7 Priser (USD) [74048stk Lager]

  • 1 pcs$0.52804
  • 2,500 pcs$0.46814

Delnummer:
STD100N10F7
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N CH 100V 80A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Power Driver-moduler, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Dioder - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STD100N10F7 electronic components. STD100N10F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD100N10F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD100N10F7 Produktegenskaper

Delnummer : STD100N10F7
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Serie : DeepGATE™, STripFET™ VII
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4369pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 120W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : DPAK
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63