Renesas Electronics America - HAT2279H-EL-E

KEY Part #: K6418635

HAT2279H-EL-E Priser (USD) [71063stk Lager]

  • 1 pcs$0.58654
  • 2,500 pcs$0.58363

Delnummer:
HAT2279H-EL-E
Produsent:
Renesas Electronics America
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - JFET-er, Dioder - Zener - Singel, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays and Transistorer - IGBT-er - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Renesas Electronics America HAT2279H-EL-E electronic components. HAT2279H-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2279H-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HAT2279H-EL-E Produktegenskaper

Delnummer : HAT2279H-EL-E
Produsent : Renesas Electronics America
Beskrivelse : MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
Serie : -
Delstatus : Not For New Designs
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 80V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3520pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 25W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : LFPAK
Pakke / sak : SC-100, SOT-669