Infineon Technologies - IRL40B212

KEY Part #: K6403698

IRL40B212 Priser (USD) [27833stk Lager]

  • 1 pcs$1.41905
  • 10 pcs$1.26833
  • 100 pcs$0.98655
  • 500 pcs$0.79887
  • 1,000 pcs$0.67375

Delnummer:
IRL40B212
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 195A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - FET, MOSFET - En and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRL40B212 electronic components. IRL40B212 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL40B212, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL40B212 Produktegenskaper

Delnummer : IRL40B212
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 40V 195A
Serie : HEXFET®, StrongIRFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 150µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 137nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 8320pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 231W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3