Microsemi Corporation - APTM100UM60FAG

KEY Part #: K6396555

APTM100UM60FAG Priser (USD) [462stk Lager]

  • 1 pcs$100.64645
  • 100 pcs$100.14573

Delnummer:
APTM100UM60FAG
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100UM60FAG electronic components. APTM100UM60FAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100UM60FAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100UM60FAG Produktegenskaper

Delnummer : APTM100UM60FAG
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 129A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 70 mOhm @ 64.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 15mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 1116nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 31100pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2272W (Tc)
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandørenhetspakke : SP6
Pakke / sak : SP6