IXYS - IXFN100N50Q3

KEY Part #: K6393711

IXFN100N50Q3 Priser (USD) [2165stk Lager]

  • 1 pcs$22.99358
  • 10 pcs$21.50407
  • 100 pcs$18.64518

Delnummer:
IXFN100N50Q3
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - En and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFN100N50Q3 electronic components. IXFN100N50Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN100N50Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN100N50Q3 Produktegenskaper

Delnummer : IXFN100N50Q3
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
Serie : HiPerFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 500V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 82A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 49 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 13800pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 960W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-227B
Pakke / sak : SOT-227-4, miniBLOC