IXYS - IXTT10N100D2

KEY Part #: K6395169

IXTT10N100D2 Priser (USD) [8899stk Lager]

  • 1 pcs$5.11938
  • 30 pcs$5.09391

Delnummer:
IXTT10N100D2
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - IGBT-er - moduler and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXTT10N100D2 electronic components. IXTT10N100D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT10N100D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT10N100D2 Produktegenskaper

Delnummer : IXTT10N100D2
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 5V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5320pF @ 25V
FET-funksjon : Depletion Mode
Effektdissipasjon (maks) : 695W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-268
Pakke / sak : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA