Vishay Siliconix - IRFBC30APBF

KEY Part #: K6393006

IRFBC30APBF Priser (USD) [55732stk Lager]

  • 1 pcs$1.48957
  • 10 pcs$1.34369
  • 100 pcs$1.02447
  • 500 pcs$0.79680
  • 1,000 pcs$0.66020

Delnummer:
IRFBC30APBF
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - JFET-er, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - Zener - Arrays, Power Driver-moduler and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix IRFBC30APBF electronic components. IRFBC30APBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBC30APBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBC30APBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFBC30APBF
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 74W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3