Vishay Siliconix - IRF9Z24STRRPBF

KEY Part #: K6393429

IRF9Z24STRRPBF Priser (USD) [71765stk Lager]

  • 1 pcs$0.54484
  • 800 pcs$0.51520

Delnummer:
IRF9Z24STRRPBF
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - JFET-er, Transistorer - FET, MOSFET - En, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix IRF9Z24STRRPBF electronic components. IRF9Z24STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9Z24STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9Z24STRRPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRF9Z24STRRPBF
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 280 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 570pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB