IXYS - IXFH60N60X

KEY Part #: K6394714

IXFH60N60X Priser (USD) [9705stk Lager]

  • 1 pcs$4.69416
  • 50 pcs$4.67080

Delnummer:
IXFH60N60X
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - spesialformål and Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFH60N60X electronic components. IXFH60N60X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH60N60X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH60N60X Produktegenskaper

Delnummer : IXFH60N60X
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Serie : HiPerFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 143nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5800pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 890W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247
Pakke / sak : TO-247-3