Infineon Technologies - IPD031N03LGBTMA1

KEY Part #: K6420186

IPD031N03LGBTMA1 Priser (USD) [168360stk Lager]

  • 1 pcs$0.21969
  • 2,500 pcs$0.20154

Delnummer:
IPD031N03LGBTMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Tyristorer - TRIAC, Dioder - RF, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - IGBT-er - singel and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD031N03LGBTMA1 electronic components. IPD031N03LGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD031N03LGBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD031N03LGBTMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPD031N03LGBTMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Not For New Designs
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 94W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interessert i