Delnummer :
IPN95R2K0P7ATMA1
Produsent :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
950V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 80µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 400V
Effektdissipasjon (maks) :
7W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
PG-SOT223