IXYS - IXFT6N100Q

KEY Part #: K6394032

IXFT6N100Q Priser (USD) [10367stk Lager]

  • 1 pcs$4.59424
  • 30 pcs$4.57138

Delnummer:
IXFT6N100Q
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Bridge likerettere, Power Driver-moduler, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFT6N100Q electronic components. IXFT6N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT6N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT6N100Q Produktegenskaper

Delnummer : IXFT6N100Q
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Serie : HiPerFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 2.5mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 180W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-268
Pakke / sak : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA