Delnummer :
SCT3060ALGC11
Produsent :
Rohm Semiconductor
Beskrivelse :
MOSFET NCH 650V 39A TO247N
Teknologi :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
78 mOhm @ 13A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 6.67mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
852pF @ 500V
Effektdissipasjon (maks) :
165W (Tc)
Driftstemperatur :
175°C (TJ)
Monteringstype :
Through Hole
Leverandørenhetspakke :
TO-247N