Vishay Siliconix - SIJ482DP-T1-GE3

KEY Part #: K6419283

SIJ482DP-T1-GE3 Priser (USD) [101730stk Lager]

  • 1 pcs$0.38436
  • 3,000 pcs$0.34064

Delnummer:
SIJ482DP-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Power Driver-moduler, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Zener - Singel, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIJ482DP-T1-GE3 electronic components. SIJ482DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIJ482DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIJ482DP-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIJ482DP-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 80V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 6.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2425pF @ 40V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8

Du kan også være interessert i