Infineon Technologies - IPB90N06S4L04ATMA2

KEY Part #: K6418631

IPB90N06S4L04ATMA2 Priser (USD) [71045stk Lager]

  • 1 pcs$0.55037
  • 1,000 pcs$0.44893

Delnummer:
IPB90N06S4L04ATMA2
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - SCR, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPB90N06S4L04ATMA2 electronic components. IPB90N06S4L04ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB90N06S4L04ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB90N06S4L04ATMA2 Produktegenskaper

Delnummer : IPB90N06S4L04ATMA2
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 90µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (maks) : ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 13000pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 150W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO263-3-2
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB