Vishay Siliconix - SI2305CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6421498

SI2305CDS-T1-GE3 Priser (USD) [651126stk Lager]

  • 1 pcs$0.05681
  • 3,000 pcs$0.05384

Delnummer:
SI2305CDS-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3 electronic components. SI2305CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2305CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2305CDS-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI2305CDS-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 8V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 8V
Vgs (maks) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 960pF @ 4V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-23-3 (TO-236)
Pakke / sak : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3