Infineon Technologies - IRL6342TRPBF

KEY Part #: K6416018

IRL6342TRPBF Priser (USD) [358923stk Lager]

  • 1 pcs$0.10305
  • 4,000 pcs$0.08901

Delnummer:
IRL6342TRPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - singel, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - JFET-er, Power Driver-moduler, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Dioder - Zener - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRL6342TRPBF electronic components. IRL6342TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL6342TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL6342TRPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRL6342TRPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1025pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.5W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-SO
Pakke / sak : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)