IXYS - IXTP8N65X2M

KEY Part #: K6394934

IXTP8N65X2M Priser (USD) [50552stk Lager]

  • 1 pcs$0.85509
  • 50 pcs$0.85083

Delnummer:
IXTP8N65X2M
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - RF, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - likerettere - matriser and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXTP8N65X2M electronic components. IXTP8N65X2M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP8N65X2M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP8N65X2M Produktegenskaper

Delnummer : IXTP8N65X2M
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 32W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220
Pakke / sak : TO-220-3