Microsemi Corporation - APTGT600U170D4G

KEY Part #: K6532707

APTGT600U170D4G Priser (USD) [504stk Lager]

  • 1 pcs$92.47423
  • 10 pcs$88.00937
  • 25 pcs$84.82073

Delnummer:
APTGT600U170D4G
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - IGBT-er - moduler and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT600U170D4G electronic components. APTGT600U170D4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT600U170D4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT600U170D4G Produktegenskaper

Delnummer : APTGT600U170D4G
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4
Serie : -
Delstatus : Active
IGBT-type : Trench Field Stop
konfigurasjon : Single
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 1700V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 1100A
Kraft - Maks : 2900W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 600A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) : 1mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 51nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : No
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : D4
Leverandørenhetspakke : D4

Du kan også være interessert i
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.