Microsemi Corporation - APTM120H140FT1G

KEY Part #: K6522571

APTM120H140FT1G Priser (USD) [2247stk Lager]

  • 1 pcs$19.26652
  • 100 pcs$19.03968

Delnummer:
APTM120H140FT1G
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - spesialformål, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - IGBT-er - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120H140FT1G electronic components. APTM120H140FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H140FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120H140FT1G Produktegenskaper

Delnummer : APTM120H140FT1G
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-funksjon : Standard
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 145nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3812pF @ 25V
Kraft - Maks : 208W
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : SP1
Leverandørenhetspakke : SP1