NXP USA Inc. - BUK7E2R7-30B,127

KEY Part #: K6400172

[8867stk Lager]


    Delnummer:
    BUK7E2R7-30B,127
    Produsent:
    NXP USA Inc.
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - IGBT-er - moduler and Transistorer - JFET-er ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK7E2R7-30B,127 electronic components. BUK7E2R7-30B,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7E2R7-30B,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK7E2R7-30B,127 Produktegenskaper

    Delnummer : BUK7E2R7-30B,127
    Produsent : NXP USA Inc.
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
    Serie : TrenchMOS™
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.7 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6212pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 300W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : I2PAK
    Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA