Infineon Technologies - BSP88H6327XTSA1

KEY Part #: K6421133

BSP88H6327XTSA1 Priser (USD) [360306stk Lager]

  • 1 pcs$0.10266
  • 1,000 pcs$0.08949

Delnummer:
BSP88H6327XTSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 4SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - spesialformål, Power Driver-moduler, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - TRIAC and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 electronic components. BSP88H6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP88H6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP88H6327XTSA1 Produktegenskaper

Delnummer : BSP88H6327XTSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 4SOT223
Serie : SIPMOS®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 240V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 350mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 108µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 95pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 1.8W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-SOT223-4
Pakke / sak : TO-261-4, TO-261AA