Vishay Siliconix - SIUD402ED-T1-GE3

KEY Part #: K6421620

SIUD402ED-T1-GE3 Priser (USD) [1073108stk Lager]

  • 1 pcs$0.03447

Delnummer:
SIUD402ED-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - Bridge likerettere and Transistorer - programmerbar enhet ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIUD402ED-T1-GE3 electronic components. SIUD402ED-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIUD402ED-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIUD402ED-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIUD402ED-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 1.2nC @ 8V
Vgs (maks) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 1.25W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® 0806
Pakke / sak : PowerPAK® 0806