Infineon Technologies - IPB80N06S2L07ATMA3

KEY Part #: K6419165

IPB80N06S2L07ATMA3 Priser (USD) [95324stk Lager]

  • 1 pcs$0.41019
  • 1,000 pcs$0.39058

Delnummer:
IPB80N06S2L07ATMA3
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - likerettere - matriser, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - IGBT-er - singel and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPB80N06S2L07ATMA3 electronic components. IPB80N06S2L07ATMA3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S2L07ATMA3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80N06S2L07ATMA3 Produktegenskaper

Delnummer : IPB80N06S2L07ATMA3
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 55V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 6.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 150µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3160pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 210W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO263-3-2
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB