Infineon Technologies - BSZ130N03MSGATMA1

KEY Part #: K6421154

BSZ130N03MSGATMA1 Priser (USD) [370455stk Lager]

  • 1 pcs$0.09984

Delnummer:
BSZ130N03MSGATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - spesialformål, Dioder - Zener - Singel, Dioder - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies BSZ130N03MSGATMA1 electronic components. BSZ130N03MSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ130N03MSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ130N03MSGATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : BSZ130N03MSGATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 11.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TSDSON-8
Pakke / sak : 8-PowerTDFN