Infineon Technologies - IPD60R1K5CEAUMA1

KEY Part #: K6403236

IPD60R1K5CEAUMA1 Priser (USD) [342242stk Lager]

  • 1 pcs$0.10807
  • 2,500 pcs$0.08921

Delnummer:
IPD60R1K5CEAUMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - Zener - Singel, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - SCR-er - moduler and Dioder - Bridge likerettere ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1 electronic components. IPD60R1K5CEAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R1K5CEAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R1K5CEAUMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPD60R1K5CEAUMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252
Serie : CoolMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 49W (Tc)
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63