STMicroelectronics - STD12N60M2

KEY Part #: K6419685

STD12N60M2 Priser (USD) [125212stk Lager]

  • 1 pcs$0.29688
  • 2,500 pcs$0.29540

Delnummer:
STD12N60M2
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Zener - Singel and Transistorer - programmerbar enhet ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STD12N60M2 electronic components. STD12N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD12N60M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD12N60M2 Produktegenskaper

Delnummer : STD12N60M2
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Serie : MDmesh™ M2
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 450 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 538pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 85W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : DPAK
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63