Infineon Technologies - IRFS3607PBF

KEY Part #: K6408046

IRFS3607PBF Priser (USD) [763stk Lager]

  • 1 pcs$0.67732
  • 10 pcs$0.59788
  • 100 pcs$0.47270
  • 500 pcs$0.34676
  • 1,000 pcs$0.27376

Delnummer:
IRFS3607PBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Power Driver-moduler, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRFS3607PBF electronic components. IRFS3607PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS3607PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3607PBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFS3607PBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Discontinued at Digi-Key
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 75V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3070pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 140W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB