Diodes Incorporated - DMTH6004SK3Q-13

KEY Part #: K6393786

DMTH6004SK3Q-13 Priser (USD) [134368stk Lager]

  • 1 pcs$0.27527
  • 2,500 pcs$0.24363

Delnummer:
DMTH6004SK3Q-13
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET NCH 60V 100A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - spesialformål, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Dioder - likerettere - singel, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH6004SK3Q-13 electronic components. DMTH6004SK3Q-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6004SK3Q-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6004SK3Q-13 Produktegenskaper

Delnummer : DMTH6004SK3Q-13
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET NCH 60V 100A TO252
Serie : Automotive, AEC-Q101
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 95.4nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4556pF @ 30V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252-4L
Pakke / sak : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD