Toshiba Semiconductor and Storage - TPH2R608NH,L1Q

KEY Part #: K6419863

TPH2R608NH,L1Q Priser (USD) [139168stk Lager]

  • 1 pcs$0.27912
  • 5,000 pcs$0.27774

Delnummer:
TPH2R608NH,L1Q
Produsent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 150A SOP8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Singel, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - IGBT-er - singel and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R608NH,L1Q electronic components. TPH2R608NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH2R608NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH2R608NH,L1Q Produktegenskaper

Delnummer : TPH2R608NH,L1Q
Produsent : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
Serie : U-MOSVIII-H
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 75V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6000pF @ 37.5V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 142W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-SOP Advance (5x5)
Pakke / sak : 8-PowerVDFN

Du kan også være interessert i