Vishay Siliconix - SISH625DN-T1-GE3

KEY Part #: K6393385

SISH625DN-T1-GE3 Priser (USD) [344842stk Lager]

  • 1 pcs$0.10726

Delnummer:
SISH625DN-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - RF, Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Zener - Arrays and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SISH625DN-T1-GE3 electronic components. SISH625DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH625DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH625DN-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SISH625DN-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 17.3A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 126nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4427pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® 1212-8SH
Pakke / sak : PowerPAK® 1212-8SH